三菱IGBT模塊CM100E3U-12H
| 型 號： | CM100E3U-12H |
| 報(bào) 價(jià)： | 888 |
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
詳細(xì)資料：
北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)三菱IGBT模塊CM100E3U-12H
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM100E3U-12H 產(chǎn)品特點(diǎn)：
- Low Drive Power
- Low VCE(sat)
- Discrete Super-Fast Recovery Free-Wheel Diode
- High Frequency Operation
- Isolated Baseplate for Easy Heat Sinking
三菱推出開關(guān)頻率20～ 60KHz的NFH及NFM系列IGBT，
應(yīng)用于逆變焊機(jī)及醫(yī)療儀器 特征：
● 采用快速關(guān)斷CSTBT硅片，目標(biāo)開關(guān)頻率20～ 60KHz
● 低電感封裝技術(shù)
● 耐功率循環(huán)能力強(qiáng)（High Power Cycle）
● 寬范圍的額定電流等級: 100A～400A/600V，100A～ 600A / 1200V
三菱IGBT模塊目標(biāo)應(yīng)用：
● 醫(yī)療儀器，如 CT 和 MRI
● 逆變焊機(jī)
● 電信用UPS
CM100E3U-12H 產(chǎn)品參數(shù)：
VCES=600V IC=100A
CM50E3Y-12E
CM50E3U-12E
CM75E3U-12E
CM75E3Y-12E
CM100E3U-12E
CM100E3Y-12E
CM150E3Y-12E
CM150E3U-12E
CM200E3Y-12E
CM200E3U-12E
CM300E3Y-12E
CM300E3U-12E
CM300E2U-12H
CM400YE2P-12F
CM400YE2N-12F
CM300YE2N-12F
CM300YE2P-12F
CM600YE2N-12F
CM600YE2P-12F
CM110YE4-12F
CM150YE4-12F
CM165YE4-12F
CM200YE4-12F
