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    三菱IGBT模塊CM600HG-90H

    三菱IGBT模塊CM600HG-90H

    型    號: CM600HG-90H
    報    價: 9999
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    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

    詳細資料:

    MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM600HG-90H

    MITSUBISHI三菱高壓單管1單元IGBT模塊VCES=4500V;IC=900A

    北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM600HG-90H

    CM200HG-130H  

    CM400HG-66H      

    CM400HG-130H
    CM600HG-90H      

    CM600HG-130H    

    CM800HG-66H


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