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    富士IGBT模塊7MBI40N-120

    富士IGBT模塊7MBI40N-120

    型    號: 7MBI40N-120
    報    價: 999
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    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

    詳細資料:

    北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品銷售富士7單元IGBT模塊7MBI40N-120

    Features
    · High Speed Switching
    · Voltage Drive
    · Low Inductance Module Structure
    · Dynamic Brake Circuit

    日本fuji富士 IGBT 模塊7單元600V系列:
    7MBI100SA-0607MBI150SA-0607MBI200SA-0607MBI150U2E-060
    7MBI200U2E-0607MBI75SA1207MBI100SA1207MBI100UE120
    7MBI75N-0607MBI100N-0607MBI40N-1207MBI50N-120

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